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求购存储芯片MT53B512M32D2NP-062AAT:C

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2024-12-23 08:04:00
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回收IC集成电路FLASH闪存、SDRAM、DRAM、SRAM、DDR、DDR2、DDR3、RAM、Memory内存及MCU单片机、内存条等存储器,CPU主控、BGA、手机IC、蓝牙IC、平板电脑IC、数码相框IC、数码相机IC、监控IC、电脑IC、IC、摄像头IC、家电IC、数码IC、车载IC、通信IC、通讯IC等产品类IC,SPHE系列、SAA系列、XC系列、RT系列、TDA系列、CS系列、EPM系列
江波龙获得一项发明专利授权,专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”,专利申请号为CN202010167846.X,授权日为2024年5月14日。专利摘要:本申请提供一种DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个,较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了5.94亿元,同比增66.74%。
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TN-C系统TN-S系统TN-C-S系统TT系统IT系统通过上述分析可知,三相四线制是低压配电系统按照带电导体系统分类中的一种。三相四线制带电导体系统的接地系统既可以采用TN-C系统,也可以采用TN-S系统、TN-C-S系统和TT系统。(版权所有)TN-S系统、TN-C-S系统和TT系统末端导线的个数均为5个,都可称作所谓的“三相五线制”,那又如何将它们加以区分呢?所以三相五线制是一个混淆接地系统和带电导体系统两个互不关联的系统的错误名词,在编制电气规范和设计文件时应注意避免采用。
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