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其次，能源和原材料价格上涨的影响。自2022年以来，能源和原材料价格急剧上升。这导致韩国电力公司去年第四季度对大企业等大宗用户征收的工业用电费用每千瓦时上涨了10.6韩元。鉴于通货膨胀的长期化，预计工业用电费用将进一步上涨。半导体气体行业相关人士提醒说，在产品价格降低后，除非有特殊情况，否则客户不会恢复价格。他还透露了对客户在半导体行业状况恶化时要求分担痛苦，而在情况好转时则独享成果的不满。这表明，尽管AI和存储芯片的需求增长为材料行业带来了机遇，但价格压力和成本上升仍是企业面临的主要挑战。
在半导体产业高速发展的背景下，高带宽内存（High Bandwidth Memory, HBM）领域三星和SK海力士之间的技术竞争日益激烈。近一个月来，对HBM的兴趣急剧上升。特别是HBM3E和HBM4产品的进展引起了业界的关注，这些公司的步伐也在加快。认为，HBM已经逐渐形成了如NAND或DRAM等独立的产品类别，并预计销售额将继续增长。据Zui近的数据显示，预计明年HBM将占据DRAM销售额的30%。这表明HBM不仅仅是技术趋势，它已经成为了半导体市场的重要组成部分。
三态R-S锁存触发器C044B。内部电路结构与引脚功能见下图。图CD4044B三态R-S锁存器将基本的R-S触发器加以改造，如在输出侧增设传输开关，就可得到具有三态传输功能的R-S触发器。从其内部电路结构可看出，a)增加了EN使能控制端，高电平为通态，低电平为关态；b)增加了受控输出级，为三态输出模式，当EN端为低电平时，输出级相对于外部电路，为高阻态。从检修角度出发，我们需要注意的着重点是在线如何确定芯片好坏，并找到（引脚功能、尺寸适宜的）替代元件。
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半导体制造业呈现出积极的复苏迹象。报告显示，电子产品销售呈现增长势头，库存水平稳定，晶圆厂的装机产能也在提升，预示着下半年行业增长势头将进一步加强。


SEMI与TechInsights联合发布的2024年季度半导体产业监控报告指出，上一季度电子产品销售同比增长了1%，而本季度预计将实现5%的年增长。集成电路（IC）销售在上季度同比增长了22%，本季度预计将增长21%，这一增长主要得益于高性能计算（HPC）芯片出货量的增加以及存储芯片价格的持续改善。此外，IC库存在上季度也趋于稳定，预计本季度将进一步改善。


晶圆厂的已装机产能上季度增长了1.2%，本季度预计将增长1.4%，预计每季度将超过4000万片12英寸晶圆。大陆的产能增长率在各地区中，但晶圆厂的稼动率（尤其是成熟制程节点）仍然是一个担忧点，预计上半年不会有显著的复苏迹象。存储芯片厂的稼动率也低于预期，因为厂商继续控制供应量。


半导体行业的资本支出也呈现出与晶圆厂稼动率相同的趋势，保持谨慎态度。在去年第四季度年同比下降17%之后，今年季度又下降了11%，但预计第二季度将实现0.7%的小幅增长。本季度存储芯片相关的资本支出预计将增长8%，而非存储领域芯片的资本支出增长率将略高。

L、C元件称为“惯性元件”，即电感中的电流、电容器两端的电压，都有一定的“电惯性”，不能突然变化。充放电时间，不光与L、C的容量有关，还与充/放电电路中的电阻R有关。“1UF电容它的充放电时间是多长？”，不讲电阻，就不能回答。RC电路的时间常数：τ=RC充电时，uc=U×[1-e(-t/τ)]U是电源电压放电时，uc=Uo×e(-t/τ)Uo是放电前电容上电压RL电路的时间常数：τ=L/RLC电路接直流，i=Io[1-e(-t/τ)]Io是Zui终稳定电流LC电路的短路，i=Io×e(-t/τ)]Io是短路前L中电流设V0为电容上的初始电压值；V1为电容Zui终可充到或放到的电压值；Vt为t时刻电容上的电压值。

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