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回收FLASH闪存MT41K1G8SN-107IT:A
发布时间: 2024-05-28 20:20 更新时间: 2024-11-09 08:04
回收FLASH闪存MT41K1G8SN-107IT:A
江波龙获得一项发明专利授权,专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”,专利申请号为CN202010167846.X,授权日为2024年5月14日。专利摘要:本申请提供一种DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个,较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了5.94亿元,同比增66.74%。
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过流保护过流保护公式可参考如下:T=(K*S/I)3)其中,T表示切断负载电路所需时间;K表示绝缘铜导线系数;S表示导线的截面积;I表示短路时电流大小。通过以上三个公式我们可以清楚的看出,动力和控制电路在设计中首先考虑的是机床器件的额定电流和线路负载电流,之后确定机床中使用导体线缆的横截面积。当截容量达到1.45倍时是安全临界点,超过这个临界点时就会比较危险,要确保安全,必须在规定时间内通过。在达到Imax之前必须切断电源。
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江波龙获得一项发明专利授权,专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”,专利申请号为CN202010167846.X,授权日为2024年5月14日。专利摘要:本申请提供一种DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个,较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了5.94亿元,同比增66.74%。
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1.回收IC、回收芯片IC、回收家电IC、回收语音IC、回收数码IC、回收IC、回收内存IC、回收电脑IC、回收手机IC、回收显卡IC、回收网卡IC等。
2.回收wi-fi IC、回收闪存IC、回收单片机IC、回收U盘IC、回收射频IC、回收无线IC、回收电源IC、回收编程IC、回收液晶IC、回收三星IC等。
3.回收美信IC、回收ADI IC、回收德州仪器IC、回收数码相机IC、回收高通IC、回收英特尔IC、回收集成IC、回收触摸IC、回收高频IC、回收收发IC、回收摄像IC、回收IC等。
4.回收蓝牙IC、回收鼠标IC、回收传感器IC、回收触摸屏IC、回收RF IC、回收发射IC、回收仪表IC、回收仪表仪器IC等。
5.回收导航IC、回收高频头IC、回收智能IC、回收语言IC、回收逻辑IC、回收液晶驱动IC、回收贴片IC、回收直插IC、回收通讯IC等。
过流保护过流保护公式可参考如下:T=(K*S/I)3)其中,T表示切断负载电路所需时间;K表示绝缘铜导线系数;S表示导线的截面积;I表示短路时电流大小。通过以上三个公式我们可以清楚的看出,动力和控制电路在设计中首先考虑的是机床器件的额定电流和线路负载电流,之后确定机床中使用导体线缆的横截面积。当截容量达到1.45倍时是安全临界点,超过这个临界点时就会比较危险,要确保安全,必须在规定时间内通过。在达到Imax之前必须切断电源。
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