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随着两家公司的合作消息传出，业界对台积电将承担多少基础芯片生产过程的疑问增多。SK海力士通过台积电的代工厂工艺生产HBM4基础芯片的原因是为了满足客户对HBM定制化的需求。为此，两家公司在4月份在台湾台北签署了关于HBM4基础芯片生产的谅解备忘录（MOU）。业界预计，SK海力士将通过台积电的7纳米工艺生产HBM4基础芯片。HBM4 12层产品的量产预计将在明年下半年进行。16层产品则计划在2026年开始量产。SK海力士在HBM4量产中也将采用与HBM3E相同的先进多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技术和1bnm DRAM。
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新产品和技术方面，铠侠推出了一代的UFS 4.0嵌入式闪存产品，并开始生产采用CBA技术的第八代BiCS FLASH™，以提升性能和成本效益。


展望未来，铠侠认为供需平衡持续改善，市场价格将不断上涨。在PC和智能手机需求方面，随着原厂控制生产外加客户库存逐渐正常化，PC和智能手机市场需求正在复苏，而人工智能功能模型的激增、单位存储容量的增长以及软件的更新也将推动着换机需求增加。


服务器和企业级SSD需求方面，铠侠预计在人工智能应用高密度和大容量SSD的推动下，数据中心和企业级SSD需求将在2024年下半年呈现复苏趋势。随着人工智能应用和单位存储容量需求不断增长，业界对闪存市场的增长潜力和长期潜在需求驱动因素仍然充满信心。

铠侠将根据市场状况继续优化生产和运营费用。

不管是接正转还是反转，在接线之前我们都要先分出主线圈和副线圈。主副线圈判断方法：用万用表测电机三个端子，可以得到三组数值。其中阻值的那一组就是主线圈，阻值的一组就是主线圈和副线圈串联的阻值，剩下的一组就是副线圈。因为主线圈线径比副线圈粗，所以阻值比副线圈要小。正转接线方法先把电容接在阻值的两个端子上，然后把火线和零线分别接在主线圈两端即可。反转接线方法先把电容接在阻值的两个端子上，然后把火线和零线分别接在副线圈两端即可。

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