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三星电子和英特尔等半导体公司正在研究定向自组装 (DSA) 技术，以补偿极紫外 (EUV) 工艺过程中出现的图案错误。DSA是下一代图案化技术之一，这一技术有望补充 EUV 过程中出现的随机误差。随机是指随机且非重复的图案错误，已知占 EUV 图案错误的 50%。业界预测，DSA技术将从使用High-NA EUV的1.4nm工艺和10nm以下的DRAM工艺开始正式引入。英特尔代工旗下逻辑技术开发部门光刻、硬件和解决方案主管Mark Philip日前表示，“使用 DSA（高数值孔径 EUV）的研究正在进行中，通过应用 DSA，我们正在改进模式粗糙度（LER）。”英特尔在近期的中表示，其将 DSA 技术应用于 18nm 以下工艺，并成功纠正了 EUV 图案中发生的随机误差。

上图：不同磁路与步距之间的关系中图为相间磁路，定子节距相等，主极数合计为mP个，相邻A相和B相之间的节距与相内磁路节距相同，为360°/mP。A相激磁，与其极性相反的转子齿相对吸引。其次给B相激磁产生与A相相同的极性，吸引相应的转子齿。为便于理解，将多齿结构简化为单齿结构。此时，与A相所对转子齿和B相将相对的转子齿之间的节距为360°（n±1/2）/Nr（n整数），。故步距角为和之差：将θs=180°/PNr代入上式得：如相间磁路为三相，令P=3，则：Nr=m（3n±1）三相时，主磁极为3的倍数，Zui简单的三相3主极时，m=1变成下式：Nr=3n±1下图为n=3，Nr=8的结构图，用上式Nr=3n±1和θs=180°/PNr，可计算求得Nr和θs，如下表所示。
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虽然部分半导体领域的需求正在恢复，但复苏的步伐并不一致。目前需求的设备包括人工智能（AI）芯片和高带宽（HBM）存储芯片，这导致这些领域的投资和产能都在增长。然而，AI芯片对IC出货量增长的影响仍然有限，因为它们主要依赖于少数关键供应商。


TechInsights市场分析主管麦托迪夫（Boris Metodiev）表示，今年上半年的半导体需求喜忧参半。生成式AI需求的激增推动了存储和逻辑芯片的回升，但模拟、离散和光电芯片的需求有所回调，原因是消费者市场的复苏缓慢以及汽车和工业市场需求的减弱。麦托迪夫认为，随着AI边缘计算预计将刺激消费者需求的增长，半导体产业有望在下半年实现复苏。汽车和工业市场也有望在今年晚些时候恢复增长，这得益于利率下降提振消费者购买力以及库存的减少。