高价回收芯片K4F6E3D4HB-MFCH

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SK海力士已经确认与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）的量产上合作。SK海力士决定将HBM4基础芯片的半导体前端工艺（FEOL）、硅通孔（TSV）形成、BEOL等交由台积电负责，而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片（KGSD）测试等后续工艺则在自家的后端工艺工厂进行。这意味着传统的前道工艺将由台积电承担，之后的工艺则由SK海力士负责。

铠侠发布的截止3月31日的FY23 Q4财报显示，随着供需平衡的进一步改善、ASP持续增长和存货估值损失的减少，铠侠FQ4营收3221亿日元（约合20.6亿美元），环比增长60.1%；营业利润439亿日元（约合2.8亿美元），环比扭亏为盈；净利润103亿日元（约合6598万美元），环比扭亏为盈。


铠侠累计2023财年全年营收10766亿日元（约合69.2亿美元），同比下降16%，净亏损2437亿日元（约合15.9亿美元），同比亏损扩大。总的来说，铠侠2023财年营收下降和盈利能力恶化，主要是由于上半年产品平均售价下降。但在财年结束时，随着铠侠和整个行业调整生产以更好地满足市场需求，供需平衡得到改善。
以上只是基本原理，具体实现，还有考虑待测电流的大小，把它分成不同的档位，同时考及过流保护，具体实用电路如下：实用电路中分成了200u2m20m200m10A等档位，不同档位所串联的采样电阻值不相同，原则是小电流档位采样电阻值大，大电流档位采样电阻值小。采样电阻的大小会对待测电路的电生一定的影响，实际使用要估算电流的大小，选取适合的档位才能减小测量的误差。考虑到使用者可能会接错档位，发生过流烧毁采样电阻，设计中加入了二极管D1和D2和采样电阻并联，采样电阻电流过大时，电压升高，当电压高压二极管导通电压时，二极管导通分流采样电阻的电流，防止电流过大烧毁采样电阻。

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