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此外，TGN298系列依托贯穿产品全生命周期管理的品质管控、BOM锁定与完善的服务保障体系，可提供稳定的供货保障（≥5年），以及实时的FAE技术支持、特定应用开发等服务，助力产品与终端设备系统深度融合，实现效能与价值化。TGN298系列工规级宽温SPI NOR Flash产品兼顾高速读取、高可靠等优势，满足设备系统对快速启动、瞬时用户交互、即时指令响应的严苛要求。随着设备升级迭代，以及边缘侧和终端AI设备等新应用不断扩展，需要在更短时间内完成关键代码与数据访问。佰维存储依托自身存储解决方案研发、芯片设计等核心能力，持续开发更高性能、更大容量、更高可靠性与更低功耗的SPI NOR Flash等产品，护航工业、车规、AI、物联网、手机、智能穿戴等领域设备稳定运行，赋能万物智联。
二季度为传统需求淡季，下游及终端以按需补货为主，存储现货市场整体需求乏力。由于消费端存储需求短期难有实质性改善，加上今年618电商平台热度不及往年，部分存储品牌仅做适当促销，预计今年618消费类存储出货规模将有所下降。即便原厂仍在积极稳价，但考虑到消费类需求不佳，渠道和部分品牌出现库存积压，现货市场竞价出货加剧，本周渠道和行业部分SSD价格小幅下调。


现货嵌入式市场方面，部分终端品牌出于成本和供应考虑，积极引入更多存储供应商，以抵御存储行情的周期性波动。部分现货嵌入式产品采用小容量的库存资源进行堆叠，导致市场上部分容量价格有所参差，本周64GB eMMC和UFS价格小幅调整。近期虽然贸易端有部分wafer库存释出，但已通过手机终端验证的NAND资源价格仍然较高。另外，由于部分嵌入式资源与服务器供应冲突，部分原厂稀缺资源的价格呈缓慢上涨趋势，加上品牌终端释出一定需求，从而支持现货嵌入式行情整体相对稳定发展。


中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中假设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少提供1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能提供20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。

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