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需求DDR内存MT29E2T08CUHBBM4-3:B
发布时间: 2024-05-29 06:26 更新时间: 2024-11-09 08:04
需求DDR内存MT29E2T08CUHBBM4-3:B

需求DDR内存MT29E2T08CUHBBM4-3:B

江波龙获得一项发明专利授权,专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”,专利申请号为CN202010167846.X,授权日为2024年5月14日。专利摘要:本申请提供一种DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个,较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了5.94亿元,同比增66.74%。
H5AN8G6NCJR-XNC
H5AN8G6NCJR-XNI
H5AN8G6NDJR-XNC
H5AN8G8NCJR-XNC
H5AN8G8NDJR-XNC
H5ANAG4NAJR-XNC
H5ANAG6NCJR-XNC
H5ANAG6NCMR-XNC
H5ANAG6NDMR-XNC
H5ANAG6NMJR-XNC
H5ANAG8NAJR-XNC
H5ANAG8NCJR-XNC
H5ANAG8NCMR-XNC
H5GH24AFR-T2C
H5GH24AJR-R0C
H5GH24AJR-R4C
H5GH24AJR-T2C
H5GH24AJR-T2C
H5GC8H24AJR-R0C
H5GC8H24AJR-R0C
H5GC8H24AJR-R2C
H5GC8H24MJR-R0C
H5GC8H24MJR-T2C


回收陀螺仪,六轴陀螺仪,角度传感器,距离传感器,博世传感器,温度传感器,光线传感器,三轴陀螺仪,九轴陀螺仪等。

 回收贴片电容,直插电容,安规电容,陶瓷电容,电解电容,钽电容,磁珠,电感,电阻,晶振,直插晶振,贴片晶振,32.768MHZ,低压电容,大电解电容,热敏电阻,光敏电阻等。

 回收4G模块,3G模块,GPRS模块,通信模块,发射模块,功率模块,蓝牙模块,wi-fi模块,无线模块,电源模块,光纤模块,IG模块等。

 回收高频管,IG管,晶体管,MOS管,场效应管,三极管,二极管,贴片三极管,直插三极管,进口三极管,国产三极管,激光管,发射管,红外管,数码管等。

需求DDR内存MT29E2T08CUHBBM4-3:B
连接固态继电器时,注意直流控制电压的大小与极性。对于交流型固态继电器,其输出端加RC吸收回路是必需的,在购买期间时,应该弄清型号内是否配置了RC吸收回路,可能有的装了,有的没有装,对于感性负载,尤其是重感性负载,除配置了RC吸收回路外,还应增加压敏电阻器。压敏电阻器的标称工作电压可选电源电压有效值的1.9倍。9.焊接时间问题,在使用针孔焊接式SSR和触发是SSR时,气焊接温度不应该高于260℃,焊接时间小于10S,对于螺丝固定式SSR,应该加垫圈防止松动,而且扭劲不宜过大,防止期间损坏。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
H58G56AK6PX032
H58G56AK6QX032
H58G56AK6VX032
H58G56MK6BX024
H58G56MK6PX024
H58G56MK6QX024
H58G56MK6VX024
H58G66MK6BX026
H58G66MK6PX026
H58G66MK6QX026
H58G66MK6VX026
H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042



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