长期收购ICD9MHCMT41J256M8HX-15EAAT:D

整体来看，三星、SK海力士和美光三大原厂，无一例外对于AI服务器需求展望持乐观态度，原厂普遍认为AI服务器对HBM以及高性能高容量eSSD需求正快速增长，因此正积极调集可利用的NAND及DRAM产能，全力支持AI服务器相关的eSSD和HBM的供应增长。AI发展下半场的隐忧：AI大规模商业化尚需时日，大规模投产的HBM是否会供过于求？目前AI服务器市场正处于快速增长的初期阶段，、微软、谷歌、Meta等一众互联网科技巨头均强调，AI基础设施投资将驱动今年资本支出同比增长，国内互联网公司和相关设备公司也均在全力推进AI技术的发展，部署AI服务器自然是新增AI投资的重中之重，这也为AI技术的长期发展奠定基础。不过，AI发展的下半场仍有很多值得深思的地方。
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二季度为传统需求淡季，下游及终端以按需补货为主，存储现货市场整体需求乏力。由于消费端存储需求短期难有实质性改善，加上今年618电商平台热度不及往年，部分存储品牌仅做适当促销，预计今年618消费类存储出货规模将有所下降。即便原厂仍在积极稳价，但考虑到消费类需求不佳，渠道和部分品牌出现库存积压，现货市场竞价出货加剧，本周渠道和行业部分SSD价格小幅下调。


现货嵌入式市场方面，部分终端品牌出于成本和供应考虑，积极引入更多存储供应商，以抵御存储行情的周期性波动。部分现货嵌入式产品采用小容量的库存资源进行堆叠，导致市场上部分容量价格有所参差，本周64GB eMMC和UFS价格小幅调整。近期虽然贸易端有部分wafer库存释出，但已通过手机终端验证的NAND资源价格仍然较高。另外，由于部分嵌入式资源与服务器供应冲突，部分原厂稀缺资源的价格呈缓慢上涨趋势，加上品牌终端释出一定需求，从而支持现货嵌入式行情整体相对稳定发展。


MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。

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