回收LPDDR34XZ9SHK MT41K256M16TW-107AITES:P

回收LPDDR34XZ9SHKMT41K256M16TW-107AITES:P
K3UHAHA0AM-AGCL
K3UHAHA0AM-AGCL
K3UHBHB0BM-EGCL
K4A4G085WE-BIRC
K4A4G085WE-BITD
K4A4G085WF-BCTD
K4A4G085WF-BCWE
K4A4G085WF-BITD
K4A4G165WE-BCWE
K4A4G165WE-BCWE
K4A4G165WE-BIRC
K4A4G165WE-BITD
K4A4G165WE-BIWE
K4A4G165WE-BIWE
K4A4G165WF-BCTD
K4A4G165WF-BCWE
K4A4G165WF-BITD
K4A8G045WB-BCPB
K4A8G045WB-BCRC
K4A8G045WB-BCTD
K4A8G045WC-BCPB
K4A8G045WC-BCRC
K4A8G045WC-BCTD
K4A8G045WD-BCWE

江波龙获得一项发明专利授权，专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”，专利申请号为CN202010167846.X，授权日为2024年5月14日。专利摘要：本申请提供一种DRAM的电压控制电路，包括：单片机，与内存条上的SPD芯片连接；调压电路，与所述单片机连接，并与所述内存条上的至少一个DRAM连接，用于响应所述单片机的指令，对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制，无需在DRAM内单独设计调压电路，实现简单，成本低且周期短，并且通过相互连接的单片机和调压电路，大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个，较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了5.94亿元，同比增66.74%。

NW953 MT29F4T08EUHBFM4-R:B 512G
NW980 MT29F4T08EQHBFG8-QA:B 512G
NW947 MT29F4T08GMHAFJ4:A 512G
NX862 MT29F4T08EUHBFM4-TES:B 512G
NX890 MT29F4T08EULCEM4-TES:C 512G
NW957 MT29F4T08EUHBFM4-T:B 512G
NW984 MT29F4T08EULCEM4-QJ:C 512G
NW969 MT29F4T08EQLCEG8-R:C 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NX970 MT29F4T08EULEEM4-TES:E 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NW786 MT29F512G08CMCBBH7-6ITC:B 64G
NW966 MT29F512G08EBHBFJ4-T:B 64G
NX886 MT29F512G08EBHBFJ4-TES:B 64G
NW928 MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 64G
NW747 MT29F512G08CMCCBH7-10C:C 64G
NW662 MT29F512G08CKCCBH7-10:C 64G
NX837 MT29F512G08EBHAFJ4-3RES:A 64G
NX967 MT29F512G08EBLEEJ4-TES:E 64G
NX671 MT29F512G08EMCBBJ5-6ES:B 64G
NW593 MT29F512G08CKCABH7-10:A 64G
NW524 MT29F512G08CKCABH7-6Q:A 64G
NW860 MT29E6T08ETHBBM5-3:B 768G
NW894 MT29E6T08ETHBBM5-3D:B 768G
NW852 MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B 96G
NW856 MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 96G
NX748 MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B 96G