回收FLASH闪存MT51K256M32HF-70:B

回收FLASH闪存MT51K256M32HF-70:B
K3UHAHA0AM-AGCL
K3UHAHA0AM-AGCL
K3UHBHB0BM-EGCL
K4A4G085WE-BIRC
K4A4G085WE-BITD
K4A4G085WF-BCTD
K4A4G085WF-BCWE
K4A4G085WF-BITD
K4A4G165WE-BCWE
K4A4G165WE-BCWE
K4A4G165WE-BIRC
K4A4G165WE-BITD
K4A4G165WE-BIWE
K4A4G165WE-BIWE
K4A4G165WF-BCTD
K4A4G165WF-BCWE
K4A4G165WF-BITD
K4A8G045WB-BCPB
K4A8G045WB-BCRC
K4A8G045WB-BCTD
K4A8G045WC-BCPB
K4A8G045WC-BCRC
K4A8G045WC-BCTD
K4A8G045WD-BCWE

为了实现这一目标，Dreamtech将在印度诺伊达工厂生产存储模块，并计划在下半年初开始量产。公司预计，一旦整个生产线运行，从明年下半年开始，将能够实现年销售额1000亿韩元（约合七千四百万美元）。Dreamtech的这一战略不仅展示了其在生产经验上的长期积累，也反映了其对制造业趋势的敏锐洞察。Dreamtech通过在印度建立工厂，旨在提前确保具有制造竞争力的海外生产基地，以便及时应对客户的需求。

NW953 MT29F4T08EUHBFM4-R:B 512G
NW980 MT29F4T08EQHBFG8-QA:B 512G
NW947 MT29F4T08GMHAFJ4:A 512G
NX862 MT29F4T08EUHBFM4-TES:B 512G
NX890 MT29F4T08EULCEM4-TES:C 512G
NW957 MT29F4T08EUHBFM4-T:B 512G
NW984 MT29F4T08EULCEM4-QJ:C 512G
NW969 MT29F4T08EQLCEG8-R:C 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NX970 MT29F4T08EULEEM4-TES:E 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NW786 MT29F512G08CMCBBH7-6ITC:B 64G
NW966 MT29F512G08EBHBFJ4-T:B 64G
NX886 MT29F512G08EBHBFJ4-TES:B 64G
NW928 MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 64G
NW747 MT29F512G08CMCCBH7-10C:C 64G
NW662 MT29F512G08CKCCBH7-10:C 64G
NX837 MT29F512G08EBHAFJ4-3RES:A 64G
NX967 MT29F512G08EBLEEJ4-TES:E 64G
NX671 MT29F512G08EMCBBJ5-6ES:B 64G
NW593 MT29F512G08CKCABH7-10:A 64G
NW524 MT29F512G08CKCABH7-6Q:A 64G
NW860 MT29E6T08ETHBBM5-3:B 768G
NW894 MT29E6T08ETHBBM5-3D:B 768G
NW852 MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B 96G
NW856 MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 96G
NX748 MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B 96G