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通过代工厂工艺生产基础芯片，预计将能够应用各种设计知识产权（IP）。去年，SK海力士副社长朴明在在韩国电子工程学会（IEIE）学术会议上解释了通过代工厂工艺生产基础芯片的好处，称“可以应用多种设计知识产权（IP）到基础芯片上”。此外，SK海力士在13日举行的2024年存储器研讨会（IMW）上公开了第7代HBM产品HBM4E的量产时间表。SK海力士表示：“HBM的开发周期加快了”，并宣布“计划在2026年开始HBM4E产品的量产”。HBM4E的生产预计将使用1c DRAM。

回收陀螺仪，六轴陀螺仪，角度传感器，距离传感器，博世传感器，温度传感器，光线传感器，三轴陀螺仪，九轴陀螺仪等。

 回收贴片电容，直插电容，安规电容，陶瓷电容，电解电容，钽电容，磁珠，电感，电阻，晶振，直插晶振，贴片晶振，32.768MHZ，低压电容，大电解电容，热敏电阻，光敏电阻等。

 回收4G模块，3G模块，GPRS模块，通信模块，发射模块，功率模块，蓝牙模块，wi-fi模块，无线模块，电源模块，光纤模块，IG模块等。

 回收高频管，IG管，晶体管，MOS管，场效应管，三极管，二极管，贴片三极管，直插三极管，进口三极管，国产三极管，激光管，发射管，红外管，数码管等。


以变压器接线方式Y/△11为例，讲解星转角（Y△）问题：1.1为了便于理解本文假设：变压器高低压侧额定电流均为1A；变压器平衡系数为1；从相量图我们可以看到两侧电流之间会出现30的相位差，那怎么干掉这30°的相位差呢？当然是要通过保护装置的软件算法对相位进行校正。微机型保护装置有2种相位校正方式：三角形侧向星形侧校正（△Y）和星形侧向三角形侧校正（Y△）。版权所有。我国广泛采用的是星形侧向三角形侧校正（Y△）方式，所以本文也只讲解星形侧向三角形侧校正（Y△）这种方式。
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