Rapidus此前已于2月与加拿大AI芯片新创公司Tenstorrent展开合作。Rapidus的社长小池淳义在15日的记者会上提到，与Tenstorrent的合作属于不同领域，而电力问题是目前迫切需要解决的问题。小池淳义还指出，预计在2027-2028年期间，2纳米芯片的需求将出现爆发性增长。Rapidus的目标是在2027年量产2纳米以下进逻辑芯片。公司位于北海道千岁市的座工厂“IIM-1”已于2023年9月动工，试产生产线计划在2025年4月启用，并在2027年开始进行量产。Rapidus成立于2022年8月，是由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、电装、铠侠、三菱UFJ等8家日本企业共同出资设立的。通过与Esperanto的合作，Rapidus在推动低功耗AI芯片的研发上迈出了重要一步，有望在未来的半导体市场中占据重要地位。H9HQ53AECMMDAR-KMM回收FLASH闪存
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上周，SK海力士在其一川R&D园区举行了大规模的记者招待会。在这次会议上，发布了与HBM相关的投资计划、AI半导体路线图等。虽然发布的大部分内容已经为人所知，但这次招待会本身在行业内具有重要的意义。特别值得关注的是，SK海力士宣布将在2025年下半年生产HBM4 12层产品，这比原计划提前了一年，这被视为在HBM市场上争取竞争优势的战略举措。
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两相PM型步进电机以两相激磁方式驱动（如上文之中的两相PM型爪极步进电机的运行原理图），此时两相激磁，转子R的磁极静止在两相定子磁极之间。步：T1与T4导通，A相与B相激磁。如上面的三相PM步进电机运行原理图所示，A相与B相激磁，箭头方向为两绕组线圈产生的磁通方向，A相与B相磁极极性图中也有标识。由此，转子R被吸引到稳置。第二步：T1关断，T5变成导通，T4与T5导通，B相和C相激磁，如上面的三相PM步进电机运行原理图所示，B相和C相的线圈磁通方向相反。