W25需求内存颗粒
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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
下图为带动态惯量阻尼器的步进电机暂态特性的步进响应的比较。此种吸振阻尼器不会像反相制动方法那样，在产生超调后才制动，但也不会消除Zui初的超调量。此种动态惯量阻尼器可以改善步进电机高速区域的共振引起的转矩降低，也可以改善高速时的转矩和响应脉冲。利用驱动电路的改善半步进1-2相激磁的情况：阻尼以及时，利用2相激磁比1相激磁要好。所以两相步进电机使用半步进驱动的1-2相激磁时，停止相采用2相激磁，阻尼会变好。
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