回收FLASH闪存K4FHE3D4HM-TFCL
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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
举例说明它的用法。1:MOVK5D0。意思就是说把常数K5写入D0。使D0＝K5。上面说的常数K，H在程序执行中自动转化为二进制写入D0。2:MoVk5k1y0]就是把5这个数转化为2进制、即是0101。以二进制的数值控制组合位原件Y0到Y3的状态。0为低电位、1为高电位体现在1组（k1）也就是4个输出口上、由y0开始也就是y3y2y1y0，对应0101则y0和y2输出。y1和y3停止。3:MOVK1X0K1Y0。
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