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K90MGD8H2B-TCB0求购存储芯片

更新时间
2024-07-03 08:04:00
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K90MGD8H2B-TCB0求购存储芯片

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随着两家公司的合作消息传出,业界对台积电将承担多少基础芯片生产过程的疑问增多。SK海力士通过台积电的代工厂工艺生产HBM4基础芯片的原因是为了满足客户对HBM定制化的需求。为此,两家公司在4月份在台湾台北签署了关于HBM4基础芯片生产的谅解备忘录(MOU)。业界预计,SK海力士将通过台积电的7纳米工艺生产HBM4基础芯片。HBM4 12层产品的量产预计将在明年下半年进行。16层产品则计划在2026年开始量产。SK海力士在HBM4量产中也将采用与HBM3E相同的先进多流(MR)-多芯片下填充(MUF)技术和1bnm DRAM。
三星AI服务器展望:三星认为AI服务器普及正加速,相关云服务应用进一步增长,AI服务器和传统服务器的存储需求均将增加,因此预计服务器相关的整体需求将保持强劲。HBM产能策略:由于大多数先进工艺产能集中在HBM上,非HBM产品的Bit增长可能会受到限制。预计2024年HBM供应量同比增长3倍以上,2025年HBM供应量将同比增长至少两倍甚至更多,并且已与客户就该供应量进行了顺利谈判。HBM产品发展:三星下半年将快速过渡到HBM3E,HBM3E 8H已提前开始量产,并加快业内HBM3E 12H的量产。HBM3E 12H采用TC-NCF技术,使12层和8层堆叠产品的高度保持一致,垂直密度较HBM3 8H提高20%以上,支持36GB容量,预计下半年开始大规模量产。
从安全管理的角度看,信息不准、沟通不畅是个大问题。从近年的事故分析,相互间缺乏沟通或许是近年基建工作频频出问题的通病。因基建工作涉及工程管理部门、安监部门、运行维护部门和各种各样的作业队伍,这么多的部门、单位,若无组织无纪律,缺乏统一的协调和指挥,相互间缺乏横向沟通,或将出现难以弥补的漏洞,稍微不慎将引发悲剧,让作为安全管理的人员,不得不深思。从近年的外包工程来看,出问题往往都是出在Zui基本的《安规》没有做到位。
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半导体制造业呈现出积极的复苏迹象。报告显示,电子产品销售呈现增长势头,库存水平稳定,晶圆厂的装机产能也在提升,预示着下半年行业增长势头将进一步加强。


SEMI与TechInsights联合发布的2024年季度半导体产业监控报告指出,上一季度电子产品销售同比增长了1%,而本季度预计将实现5%的年增长。集成电路(IC)销售在上季度同比增长了22%,本季度预计将增长21%,这一增长主要得益于高性能计算(HPC)芯片出货量的增加以及存储芯片价格的持续改善。此外,IC库存在上季度也趋于稳定,预计本季度将进一步改善。


晶圆厂的已装机产能上季度增长了1.2%,本季度预计将增长1.4%,预计每季度将超过4000万片12英寸晶圆。大陆的产能增长率在各地区中,但晶圆厂的稼动率(尤其是成熟制程节点)仍然是一个担忧点,预计上半年不会有显著的复苏迹象。存储芯片厂的稼动率也低于预期,因为厂商继续控制供应量。


半导体行业的资本支出也呈现出与晶圆厂稼动率相同的趋势,保持谨慎态度。在去年第四季度年同比下降17%之后,今年季度又下降了11%,但预计第二季度将实现0.7%的小幅增长。本季度存储芯片相关的资本支出预计将增长8%,而非存储领域芯片的资本支出增长率将略高。

两相HB型步进电机皆为相内磁路,而三相HB型步进电机存在相内磁路和相间磁路两种形式。下图为三相HB型步进电机,有6个磁极,极上并没有小齿,转子齿数也少,此图描述了定子和转子的磁通路径,其中为相内磁路,为相间磁路。图相内磁路的情况,定子主极A1与相邻B相的B1或C相的C2,向下一相激磁时,会对与A1同极性的转子齿产生吸引力。在磁铁后侧的五个转子齿用剖面线表示,其与前侧的转子齿极性相反。同样图为相间磁路,定子主极A1与相邻B相的B1或C相的C2,向下一相激磁时,会对与A1的转子齿产生吸引力。
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