THGBMFG8C4LBAIR回收闪存

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江波龙获得一项发明专利授权，专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”，专利申请号为CN202010167846.X，授权日为2024年5月14日。专利摘要：本申请提供一种DRAM的电压控制电路，包括：单片机，与内存条上的SPD芯片连接；调压电路，与所述单片机连接，并与所述内存条上的至少一个DRAM连接，用于响应所述单片机的指令，对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制，无需在DRAM内单独设计调压电路，实现简单，成本低且周期短，并且通过相互连接的单片机和调压电路，大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个，较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了5.94亿元，同比增66.74%。
TGN298系列由佰维自主研发设计，产品支持标准、双通道与四通道SPI接口，数据吞吐量高达480Mb/s，时钟频率高达120MHz，满足XIP在内的先进功能需求，加速设备系统启动和响应。此外，闪存被整理为4KB的小扇区，在需要代码、数据和参数存储的应用中提供更大的灵活性与存储效率。在封装方面，TGN298系列可提供SOP8 208mil、SOP8 150mil、TSSOP8 173mil、WSON8 (6×5mm)、 WSON8 (8×6mm)等多种封装规格，拥有32Mb、64Mb、128Mb容量选择（未来将推出车规级大容量产品），同时产品pin-to-pin兼容，允许不更改现有设计来增加存储容量，满足设备更大代码存储空间需求。
使用外加电阻的驱动：步进电机的绕组使用粗导线时，线圈电阻Rw值很小，如下图所示。在各相线圈中，串联外部电阻R，为的是限制绕组流过的电流小于额定电流I。限制绕组流过电流的方法，可采用降低电源电压和串联外部电阻R的两种方法。假设步进电机的线圈电感为L，绕组电阻为Rw电气时间常数为τ，外加电阻R时，电气时间常数公式如下：外加电阻使时间常数τ变小，电流上升比较快，从而使步进电机的驱动脉冲频率变快，上图所示为无外部电阻与带外部电阻R的电流上升曲线的比较，t1时刻，没有电阻R时，电流只上升到I1，有电阻R时，电流上升到I2，使高速时的转矩得到很大的改善；缺点是铜耗增大。
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半导体制造业呈现出积极的复苏迹象。报告显示，电子产品销售呈现增长势头，库存水平稳定，晶圆厂的装机产能也在提升，预示着下半年行业增长势头将进一步加强。


SEMI与TechInsights联合发布的2024年季度半导体产业监控报告指出，上一季度电子产品销售同比增长了1%，而本季度预计将实现5%的年增长。集成电路（IC）销售在上季度同比增长了22%，本季度预计将增长21%，这一增长主要得益于高性能计算（HPC）芯片出货量的增加以及存储芯片价格的持续改善。此外，IC库存在上季度也趋于稳定，预计本季度将进一步改善。


晶圆厂的已装机产能上季度增长了1.2%，本季度预计将增长1.4%，预计每季度将超过4000万片12英寸晶圆。大陆的产能增长率在各地区中，但晶圆厂的稼动率（尤其是成熟制程节点）仍然是一个担忧点，预计上半年不会有显著的复苏迹象。存储芯片厂的稼动率也低于预期，因为厂商继续控制供应量。


半导体行业的资本支出也呈现出与晶圆厂稼动率相同的趋势，保持谨慎态度。在去年第四季度年同比下降17%之后，今年季度又下降了11%，但预计第二季度将实现0.7%的小幅增长。本季度存储芯片相关的资本支出预计将增长8%，而非存储领域芯片的资本支出增长率将略高。

但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB,Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ib。
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