求购存储芯片K4E8E324EB-AGCF

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SK海力士已经确认与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）的量产上合作。SK海力士决定将HBM4基础芯片的半导体前端工艺（FEOL）、硅通孔（TSV）形成、BEOL等交由台积电负责，而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片（KGSD）测试等后续工艺则在自家的后端工艺工厂进行。这意味着传统的前道工艺将由台积电承担，之后的工艺则由SK海力士负责。
CMOS的推挽输出：输出高电平时N管截止，P管导通;输出低电平时N管导通，P管截止。输出电阻小，因此驱动能力强。CMOS门的漏极开路式：去掉P管，输出端可以直接接在一起实现线与功能。如果用CMOS管直接接在一起，那么当一个输出高电平，一个输出低电平时，P管和N管同时导通，电流很大，可能烧毁管子。单一的管子导通，只是沟道的导通，电流小，如果两个管子都导通，则形成电流回路，电流大。输入输出高阻：在P1和N1管的漏极再加一个P2管和N2管，，当要配置成高阻时，使得P2和N2管都不导通，从而实现高阻状态。
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