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三星电子和英特尔等半导体公司正在研究定向自组装 (DSA) 技术，以补偿极紫外 (EUV) 工艺过程中出现的图案错误。DSA是下一代图案化技术之一，这一技术有望补充 EUV 过程中出现的随机误差。随机是指随机且非重复的图案错误，已知占 EUV 图案错误的 50%。业界预测，DSA技术将从使用High-NA EUV的1.4nm工艺和10nm以下的DRAM工艺开始正式引入。英特尔代工旗下逻辑技术开发部门光刻、硬件和解决方案主管Mark Philip日前表示，“使用 DSA（高数值孔径 EUV）的研究正在进行中，通过应用 DSA，我们正在改进模式粗糙度（LER）。”英特尔在近期的中表示，其将 DSA 技术应用于 18nm 以下工艺，并成功纠正了 EUV 图案中发生的随机误差。
SK海力士AI服务器展望：随着生成式AI从文本响应发展到生成图像和，以及AI技术的重点从训练转向推理，预计AI服务器的强劲需求将持续。此外考虑到普通服务器的折旧时间，在2017-2018年间大量投资的云数据中心服务器，所产生的替换需求预计将逐渐出现。HBM产能策略：HBM等高端产品将导致通用DRAM产品的产量受限，3月开始生产和供应1bnm制程的HBM3E，将根据客户需求增加HBM3E的供应，并提高产能来扩大客户群。HBM产品发展：SK海力士与台积电签署MOU合作开发HBM4，以及在下一代封装技术方面进行合作，并采用台积电的逻辑工艺制程生产HBM4的基础芯片，计划于2026年量产，将提供定制化的HBM产品。
”事故发生的过程是这样的：配电箱总开关合闸、控制裸露线头的开关事故时合闸变压器接线端火线未接、带电的裸露线头死者在攀爬平台时下颌触碰带电导线线头触电死亡。开关未分闸、带电的裸露线头、人员攀爬时触碰带电导线线头、老电工冰凉的遗体、悲伤的亲人……勾勒出一幅令人心疼的人间惨剧。我们不禁反问，从接到维修指令到具体检修，这么多环节，竟层层失效，究竟是为什么？如果把以上导致触电事故的因素用连锁的多米诺骨牌来描述的话，那么只要能移去中间的一块骨牌，那该起触电事故或许不会发生：如果作业者能辨识出带电作业误碰触电风险，能切断电源，停电作业，或许悲剧可以避免；如果老电工安全防护用品使用到位，监护人员监护到位，或许鲜活的生命不会消逝；如果各个环节的责任人员，能严格执行规程制度，按规程规矩办事、拒绝违章，或许触电风险完全可以预防。
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半导体制造业呈现出积极的复苏迹象。报告显示，电子产品销售呈现增长势头，库存水平稳定，晶圆厂的装机产能也在提升，预示着下半年行业增长势头将进一步加强。


SEMI与TechInsights联合发布的2024年季度半导体产业监控报告指出，上一季度电子产品销售同比增长了1%，而本季度预计将实现5%的年增长。集成电路（IC）销售在上季度同比增长了22%，本季度预计将增长21%，这一增长主要得益于高性能计算（HPC）芯片出货量的增加以及存储芯片价格的持续改善。此外，IC库存在上季度也趋于稳定，预计本季度将进一步改善。


晶圆厂的已装机产能上季度增长了1.2%，本季度预计将增长1.4%，预计每季度将超过4000万片12英寸晶圆。大陆的产能增长率在各地区中，但晶圆厂的稼动率（尤其是成熟制程节点）仍然是一个担忧点，预计上半年不会有显著的复苏迹象。存储芯片厂的稼动率也低于预期，因为厂商继续控制供应量。


半导体行业的资本支出也呈现出与晶圆厂稼动率相同的趋势，保持谨慎态度。在去年第四季度年同比下降17%之后，今年季度又下降了11%，但预计第二季度将实现0.7%的小幅增长。本季度存储芯片相关的资本支出预计将增长8%，而非存储领域芯片的资本支出增长率将略高。

TEMP(临时变量)为暂时保存在局部数据区中的变量。只有在执行该POU时，定义的临时变量才被使用，POU执行完后，不再使用临时变量的数值。在主程序或中断程序中，局部变量表只包含TEMP变量。子程序的局部变量表中还有三种变量：IN(输入变量)、OUT(输出变量)、IN_OUT(输入/输出变量)。在局部变量表中赋值时，只需声明局部变量的类型(TEMP、IN、IN_OUT或OUT)和数据类型（参见SIMATIC和IEC1131-3的数据类型），但不存储器地址，程序编辑器自动地在L存储区中为所有局部变量存储器位置。

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