回收FLASH闪存D9QDN MT41K256M16RE-15EM:D

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K3UHAHA0AM-AGCL
K3UHAHA0AM-AGCL
K3UHBHB0BM-EGCL
K4A4G085WE-BIRC
K4A4G085WE-BITD
K4A4G085WF-BCTD
K4A4G085WF-BCWE
K4A4G085WF-BITD
K4A4G165WE-BCWE
K4A4G165WE-BCWE
K4A4G165WE-BIRC
K4A4G165WE-BITD
K4A4G165WE-BIWE
K4A4G165WE-BIWE
K4A4G165WF-BCTD
K4A4G165WF-BCWE
K4A4G165WF-BITD
K4A8G045WB-BCPB
K4A8G045WB-BCRC
K4A8G045WB-BCTD
K4A8G045WC-BCPB
K4A8G045WC-BCRC
K4A8G045WC-BCTD
K4A8G045WD-BCWE

2024年5月16日，Dreamtech宣布正式进入半导体模块业务，旨在为存储芯片公司提供DRAM模块和SSD等产品。公司计划在印度诺伊达工厂生产存储模块，并预计明年下半年实现年销售额1000亿韩元（约合七千四百万美元）。此战略举措是为了应对人工智能（AI）半导体需求的激增，并利用其在智能手机部件模块生产上的丰富经验。

NW953 MT29F4T08EUHBFM4-R:B 512G
NW980 MT29F4T08EQHBFG8-QA:B 512G
NW947 MT29F4T08GMHAFJ4:A 512G
NX862 MT29F4T08EUHBFM4-TES:B 512G
NX890 MT29F4T08EULCEM4-TES:C 512G
NW957 MT29F4T08EUHBFM4-T:B 512G
NW984 MT29F4T08EULCEM4-QJ:C 512G
NW969 MT29F4T08EQLCEG8-R:C 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NX970 MT29F4T08EULEEM4-TES:E 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NW786 MT29F512G08CMCBBH7-6ITC:B 64G
NW966 MT29F512G08EBHBFJ4-T:B 64G
NX886 MT29F512G08EBHBFJ4-TES:B 64G
NW928 MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 64G
NW747 MT29F512G08CMCCBH7-10C:C 64G
NW662 MT29F512G08CKCCBH7-10:C 64G
NX837 MT29F512G08EBHAFJ4-3RES:A 64G
NX967 MT29F512G08EBLEEJ4-TES:E 64G
NX671 MT29F512G08EMCBBJ5-6ES:B 64G
NW593 MT29F512G08CKCABH7-10:A 64G
NW524 MT29F512G08CKCABH7-6Q:A 64G
NW860 MT29E6T08ETHBBM5-3:B 768G
NW894 MT29E6T08ETHBBM5-3D:B 768G
NW852 MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B 96G
NW856 MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 96G
NX748 MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B 96G