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求购存储芯片KMR420001A-B803

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2024-12-23 08:04:00
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罗斯特科技(Orostech)正在从专业工艺测量和检查(MI)企业转型为提供前后工序MI服务的企业。该公司在提供去年的晶圆翘曲(Wafer Warpage)检查设备后,进一步扩大了后工序Overlay设备供应。据16日的公告,奥罗斯特科技将向三星电子供应HBM用的PAD Overlay设备,合同价值为48亿韩元,尽管确切数量尚未披露,但预计将供应多台设备。新供应的设备将在HBM制造的PAD工艺中用于测量PAD Overlay。如果在此过程中PAD和凸点(Bump)之间的对齐出现偏差,可能会影响硅通孔(TSV)的产量,进而影响整体的良率。目前,业界已知的HBM3E的TSV良率约为40-60%。随着HBM4等下一代HBM技术的发展,I/O数量将增加到2048个,PAD Overlay的度将变得更加重要。
使用外加电阻的驱动:步进电机的绕组使用粗导线时,线圈电阻Rw值很小,如下图所示。在各相线圈中,串联外部电阻R,为的是限制绕组流过的电流小于额定电流I。限制绕组流过电流的方法,可采用降低电源电压和串联外部电阻R的两种方法。假设步进电机的线圈电感为L,绕组电阻为Rw电气时间常数为τ,外加电阻R时,电气时间常数公式如下:外加电阻使时间常数τ变小,电流上升比较快,从而使步进电机的驱动脉冲频率变快,上图所示为无外部电阻与带外部电阻R的电流上升曲线的比较,t1时刻,没有电阻R时,电流只上升到I1,有电阻R时,电流上升到I2,使高速时的转矩得到很大的改善;缺点是铜耗增大。
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