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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
θM为产生TM的角度。两相PM型或两相HB型的步距角一致。根据上式，以及《步进电机的基本特性：静态、动态、暂态转矩特性》一问中的式：θL=（2θM/π）arcsin（TL/TM）得知，负载转矩TL决移角θL的大小。由于步进电机的负载决定角位置，因此一定负载转矩TL时，θL越小，角度精度越高。因此希望步进电机静态转矩（保持转矩）TM要大。连续测量TL与θL，就可以得到静态转矩特性曲线。步进电机的静态转矩特性，可以1相激磁，也可以2相激磁，A相与B相1相激磁转矩公式如下式所示，其中角度θ为电气角。
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