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整体来看，三星、SK海力士和美光三大原厂，无一例外对于AI服务器需求展望持乐观态度，原厂普遍认为AI服务器对HBM以及高性能高容量eSSD需求正快速增长，因此正积极调集可利用的NAND及DRAM产能，全力支持AI服务器相关的eSSD和HBM的供应增长。AI发展下半场的隐忧：AI大规模商业化尚需时日，大规模投产的HBM是否会供过于求？目前AI服务器市场正处于快速增长的初期阶段，、微软、谷歌、Meta等一众互联网科技巨头均强调，AI基础设施投资将驱动今年资本支出同比增长，国内互联网公司和相关设备公司也均在全力推进AI技术的发展，部署AI服务器自然是新增AI投资的重中之重，这也为AI技术的长期发展奠定基础。不过，AI发展的下半场仍有很多值得深思的地方。
使用外加电阻的驱动：步进电机的绕组使用粗导线时，线圈电阻Rw值很小，如下图所示。在各相线圈中，串联外部电阻R，为的是限制绕组流过的电流小于额定电流I。限制绕组流过电流的方法，可采用降低电源电压和串联外部电阻R的两种方法。假设步进电机的线圈电感为L，绕组电阻为Rw电气时间常数为τ，外加电阻R时，电气时间常数公式如下：外加电阻使时间常数τ变小，电流上升比较快，从而使步进电机的驱动脉冲频率变快，上图所示为无外部电阻与带外部电阻R的电流上升曲线的比较，t1时刻，没有电阻R时，电流只上升到I1，有电阻R时，电流上升到I2，使高速时的转矩得到很大的改善；缺点是铜耗增大。
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