TH58TEG6H2HBAMC回收内存闪存芯片长期收售

江波龙获得一项发明专利授权，专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”，专利申请号为CN202010167846.X，授权日为2024年5月14日。专利摘要：本申请提供一种DRAM的电压控制电路，包括：单片机，与内存条上的SPD芯片连接；调压电路，与所述单片机连接，并与所述内存条上的至少一个DRAM连接，用于响应所述单片机的指令，对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制，无需在DRAM内单独设计调压电路，实现简单，成本低且周期短，并且通过相互连接的单片机和调压电路，大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个，较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了5.94亿元，同比增66.74%。



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TH58TFT0EFLBA8H
TH58TEG9THLTA20
TH58TFT8THLTA20
TH58LKT1X45BA8C
TH58TEG8H2HBA89
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TH58NVG7D7FBAK0
TH58LKT3T2MBAEG