TH58TET1UDKBAEG回收内存
罗斯特科技（Orostech）正在从专业工艺测量和检查（MI）企业转型为提供前后工序MI服务的企业。该公司在提供去年的晶圆翘曲（Wafer Warpage）检查设备后，进一步扩大了后工序Overlay设备供应。据16日的公告，奥罗斯特科技将向三星电子供应HBM用的PAD Overlay设备，合同价值为48亿韩元，尽管确切数量尚未披露，但预计将供应多台设备。新供应的设备将在HBM制造的PAD工艺中用于测量PAD Overlay。如果在此过程中PAD和凸点（Bump）之间的对齐出现偏差，可能会影响硅通孔（TSV）的产量，进而影响整体的良率。目前，业界已知的HBM3E的TSV良率约为40-60%。随着HBM4等下一代HBM技术的发展，I/O数量将增加到2048个，PAD Overlay的度将变得更加重要。
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铠侠发布的截止3月31日的FY23 Q4财报显示，随着供需平衡的进一步改善、ASP持续增长和存货估值损失的减少，铠侠FQ4营收3221亿日元（约合20.6亿美元），环比增长60.1%；营业利润439亿日元（约合2.8亿美元），环比扭亏为盈；净利润103亿日元（约合6598万美元），环比扭亏为盈。

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铠侠累计2023财年全年营收10766亿日元（约合69.2亿美元），同比下降16%，净亏损2437亿日元（约合15.9亿美元），同比亏损扩大。总的来说，铠侠2023财年营收下降和盈利能力恶化，主要是由于上半年产品平均售价下降。但在财年结束时，随着铠侠和整个行业调整生产以更好地满足市场需求，供需平衡得到改善。
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MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。

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