KLMCG4VERF-B041回收FLASH闪存
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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
但如果积水过多，依旧会产生电管进水的情况。如果把水电管都安装在顶上（依然是电管在水管上方），无论水管怎么漏水，电管都不会有进水的风险——除非漏出的水把整个房间都泡起来，当然，这种情况的可能性微乎其微。管道走顶的坏处坏处耗材增加上文说到，管道走顶的做法是取消所有墙面上的横向开槽，改为纵向开槽。且水管走顶，为了固定起来更方便，需要沿着墙壁走管，距离也就更长。这样一来，势必会造成耗材的浪费——增加不少管件的用量。
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