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通过代工厂工艺生产基础芯片，预计将能够应用各种设计知识产权（IP）。去年，SK海力士副社长朴明在在韩国电子工程学会（IEIE）学术会议上解释了通过代工厂工艺生产基础芯片的好处，称“可以应用多种设计知识产权（IP）到基础芯片上”。此外，SK海力士在13日举行的2024年存储器研讨会（IMW）上公开了第7代HBM产品HBM4E的量产时间表。SK海力士表示：“HBM的开发周期加快了”，并宣布“计划在2026年开始HBM4E产品的量产”。HBM4E的生产预计将使用1c DRAM。
从而控制外部两条独立的收发信号线RXD(P3.0)、TXD(P3.1)，同时发送、接收数据，实现全双工。串行口控制寄存器SCON(见表1)。表1SCON寄存器表中各位(从左至右为从高位到低位)含义如下。SM0和SM1：串行口工作方式控制位，其定义如表2所示。表2串行口工作方式控制位其中，fOSC为单片机的时钟频率;波特率指串行口每秒钟发送(或接收)的位数。SM2：多机通信控制位。该仅用于方式2和方式3的多机通信。

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