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SK海力士已经确认与台积电在下一代高带宽存储器（HBM）的量产上合作。SK海力士决定将HBM4基础芯片的半导体前端工艺（FEOL）、硅通孔（TSV）形成、BEOL等交由台积电负责，而从晶圆测试到HBM组装、已知良好堆叠芯片（KGSD）测试等后续工艺则在自家的后端工艺工厂进行。这意味着传统的前道工艺将由台积电承担，之后的工艺则由SK海力士负责。

新产品和技术方面，铠侠推出了一代的UFS 4.0嵌入式闪存产品，并开始生产采用CBA技术的第八代BiCS FLASH™，以提升性能和成本效益。


展望未来，铠侠认为供需平衡持续改善，市场价格将不断上涨。在PC和智能手机需求方面，随着原厂控制生产外加客户库存逐渐正常化，PC和智能手机市场需求正在复苏，而人工智能功能模型的激增、单位存储容量的增长以及软件的更新也将推动着换机需求增加。


服务器和企业级SSD需求方面，铠侠预计在人工智能应用高密度和大容量SSD的推动下，数据中心和企业级SSD需求将在2024年下半年呈现复苏趋势。随着人工智能应用和单位存储容量需求不断增长，业界对闪存市场的增长潜力和长期潜在需求驱动因素仍然充满信心。

铠侠将根据市场状况继续优化生产和运营费用。

两相3.6°步进电机定子主极为4（在定转子间会产生不平衡电磁力，所以不鼓励使用此结构）时，依式Nr=m（nP±1/2），当P=2，m=2，n=6时，得Nr=25。小图为两相，定子4主极，3.6°的步进电机结构，其外形为42mm步进电机，用于5寸48TPI的FDD(软盘驱动器）上。当为三相时，由式Nr=m（nP±1/2），m=4，n=4，P=3，得Nr=50。定子主极数为mP=12，步距角θs为1.2°。

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