Rapidus此前已于2月与加拿大AI芯片新创公司Tenstorrent展开合作。Rapidus的社长小池淳义在15日的记者会上提到，与Tenstorrent的合作属于不同领域，而电力问题是目前迫切需要解决的问题。小池淳义还指出，预计在2027-2028年期间，2纳米芯片的需求将出现爆发性增长。Rapidus的目标是在2027年量产2纳米以下进逻辑芯片。公司位于北海道千岁市的座工厂“IIM-1”已于2023年9月动工，试产生产线计划在2025年4月启用，并在2027年开始进行量产。Rapidus成立于2022年8月，是由丰田、索尼、NTT、NEC、软银、电装、铠侠、三菱UFJ等8家日本企业共同出资设立的。通过与Esperanto的合作，Rapidus在推动低功耗AI芯片的研发上迈出了重要一步，有望在未来的半导体市场中占据重要地位。29F16B08MCMFP收购内存闪存芯片专注专业
长期回收工厂库存电子元器件，回收单片机，回收内存，回收IC，回收继电器，回收BGA，回收3G模块，回收4G模块，回收霍尔元件，回收IG模块，回收5G模块，回收通讯模块，回收GPS模块，回收模块，回收MCU微控制器芯片，回收电源IC，回收工业IC，回收电容，回收电感，回收电阻，回收光耦，回收FLASH，回收内存条，回收SD卡，回收CF卡，回收单片机，芯片，回收高频管，回收传感器IC，以及各种电子物料长期回收。
收购内存闪存芯片
在财务方面，广达科技季度的毛利率达到了8.48%，创下历史次高记录，优于去年同期。财务长杨俊烈指出，毛利率的提升主要得益于汇率因素、低单价NB机种出货比重的提升（低单价机种的平均毛利率高于高单价机种），以及成本控制效益的显现。广达科技季度的营业收入达到了116.98亿元新台币（下同），同比增长48.9%，税后净利润为120.68亿元，同比增长86.4%，创下历年同期新高，同时也是历史单季次高，每股收益（EPS）为3.13元。
回收电子元件，芯片回收 ，pcb板，镀金板回收，手机板回收 服务器版 镀金线路板回收 线路板回收，线路板回收，废旧线路板回收，废旧电子类回收，旧电子，库存电子元件，电子元器件，集成电路，IC块，芯片，二极管，三极管，模块，电容，电阻 高通芯片，电脑配件，内存条，CPU，硬盘，SSD固态硬盘，3G模块，4G模块，射频IC，高频管，光耦，霍尔元件，传感器IC，陀螺仪IC，摄像IC，BGA芯片，IG模块，通讯模块,GPS模块，蓝牙芯片，WiFi芯片等等电子物料，电子IC元器件。

K4RAH086VB-BCWM 
K4RAH086VB-BIQK 
K4RAH086VB-BIWM 
K4RAH086VP-BCWM 
K4RAH165VB-BCWM 
K4RAH165VB-BIQK 
K4RAH165VB-BIWM 
K4RAH165VP-BCWM 
K4RHE086VB-BCWM 
K4RHE165VB-BCWM 
K4RAH086VB-BCQK 
K4RAH165VB-BCQK 

回收时间继电器，功率继电器，中间继电器，电磁继电器，固体继电器，温度继电器，舌簧继电器，干簧继电器，高频继电器，大功率继电器，密封继电器，敞开式继电器，感应继电器，信号继电器等。

 回收光电耦合器，光电隔离器，电源，开关电源，逻辑门电路，集成电路，液晶逻辑板，变压器，散热片，咪头，导航屏，电位器，编程器，仿真器，高压条，线路板，软排线，高频头等。
回收固态硬盘，回收芯片
TH58TEG9E2HBA89
TH58TFG9EFLBA89
TH58TEG9EDJBA89
TH58TEG9E2HBA89
TH58TFG9EFKBA8K
TH58TEG9DDKBAEF
TH58TEG9DDKBA8H
TH58TEG9EDJBA8C
TH58TEG9EDJBA89
TH58TEG9CDJBAS9
TH58TFT1DFLBA8P


KHA844801X-MC12 
KHA844801X-MC13 
KHA844801X-MN12 
KHA844801X-MN13 
KHA884901X-MC12 
KHA884901X-MC13 
KHA884901X-MN12 
KHA884901X-MN13 
KHA883901B-MC12
KHA843801B-MC12

使用外加电阻的驱动：步进电机的绕组使用粗导线时，线圈电阻Rw值很小，如下图所示。在各相线圈中，串联外部电阻R，为的是限制绕组流过的电流小于额定电流I。限制绕组流过电流的方法，可采用降低电源电压和串联外部电阻R的两种方法。假设步进电机的线圈电感为L，绕组电阻为Rw电气时间常数为τ，外加电阻R时，电气时间常数公式如下：外加电阻使时间常数τ变小，电流上升比较快，从而使步进电机的驱动脉冲频率变快，上图所示为无外部电阻与带外部电阻R的电流上升曲线的比较，t1时刻，没有电阻R时，电流只上升到I1，有电阻R时，电流上升到I2，使高速时的转矩得到很大的改善；缺点是铜耗增大。