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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
作为电工，必须掌握一些最基本的概念和名词，比如，"线电压"、"相电压"。那么，什么线电压？什么是相电压？它们有什么关系？又有什么区别？想必很多初学者一头雾水。线电压：相线与相线之间的电压，比如，C三相，A相与B相之间电压,A相与C相之间电压，B相与C相之间电压就是线电压。也就是我们平时工作中说的"相间电压"。线电压和相电压相电压：是指三相电源或三相负载每一相两端的电压。三相四线制供电网中，每相火线和零线之间电压就是相电压。
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