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奥罗斯特科技相关人士表示，通过新设备，预计能够提高下一代HBM的良率，并声称奥罗斯特科技是提供PAD Overlay相关设备的公司。此次供应是响应三星电子作为HBM竞争力强化的客户需求，基于现有前工序Overlay技术，开发了针对PAD工艺的特化算法，以快速响应客户需求。随着客户需求的增加，预计未来将供应更多的设备。明年DRAM市场中HBM的销售额比重将从去年的8%增长到今年的21%，明年将超过30%。因此，三星电子等主要HBM企业正在扩大投资。此外，奥罗斯特科技为了扩大销售，正在努力开发后工序Overlay设备。该公司去年已经供应了晶圆翘曲测量设备和12英寸晶圆级封装测量设备。随着奥罗斯特科技在后工序设备领域的技术积累和市场扩张，预计将在半导体设备市场中占据更重要的位置。

两相HB型步进电机皆为相内磁路，而三相HB型步进电机存在相内磁路和相间磁路两种形式。下图为三相HB型步进电机，有6个磁极，极上并没有小齿，转子齿数也少，此图描述了定子和转子的磁通路径，其中为相内磁路，为相间磁路。图相内磁路的情况，定子主极A1与相邻B相的B1或C相的C2，向下一相激磁时，会对与A1同极性的转子齿产生吸引力。在永久磁铁后侧的五个转子齿用剖面线表示，其与前侧的转子齿极性相反。同样图为相间磁路，定子主极A1与相邻B相的B1或C相的C2，向下一相激磁时，会对与A1的转子齿产生吸引力。
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虽然部分半导体领域的需求正在恢复，但复苏的步伐并不一致。目前需求的设备包括人工智能（AI）芯片和高带宽（HBM）存储芯片，这导致这些领域的投资和产能都在增长。然而，AI芯片对IC出货量增长的影响仍然有限，因为它们主要依赖于少数关键供应商。


TechInsights市场分析主管麦托迪夫（Boris Metodiev）表示，今年上半年的半导体需求喜忧参半。生成式AI需求的激增推动了存储和逻辑芯片的回升，但模拟、离散和光电芯片的需求有所回调，原因是消费者市场的复苏缓慢以及汽车和工业市场需求的减弱。麦托迪夫认为，随着AI边缘计算预计将刺激消费者需求的增长，半导体产业有望在下半年实现复苏。汽车和工业市场也有望在今年晚些时候恢复增长，这得益于利率下降提振消费者购买力以及库存的减少。