随着两家公司的合作消息传出，业界对台积电将承担多少基础芯片生产过程的疑问增多。SK海力士通过台积电的代工厂工艺生产HBM4基础芯片的原因是为了满足客户对HBM定制化的需求。为此，两家公司在4月份在台湾台北签署了关于HBM4基础芯片生产的谅解备忘录（MOU）。业界预计，SK海力士将通过台积电的7纳米工艺生产HBM4基础芯片。HBM4 12层产品的量产预计将在明年下半年进行。16层产品则计划在2026年开始量产。SK海力士在HBM4量产中也将采用与HBM3E相同的先进多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技术和1bnm DRAM。TH58TEG7DDKLAKF东芝TH58TET1UDKBAEG
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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
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从这层电磁转换的过程而言，可以让“电磁”效应替代人做大电流通断这个“体力活”，只要一个小指头按一下一个小按钮就可以满足要求了，可以设想一下，你去直接打一个很大电流的空气开关，可是相当费劲的事情，有了接触器这些就让人轻松很多。实际上，让人干活轻松点只是继电器和接触器作用的一小方面，关键操作起来安全了，让人离大电流和高电压远一点。同时接触器和继电器可以带很多辅助触头或者中间触点，这些触点能用来组合可以实现各种复杂的控制逻辑，满足工业上复杂的控制要求，让设备更加智能点。