TH58LKT0V2MBS8C长期回收TH58TFT1CFKBAEG
发布时间:2024-11-27
TH58LKT0V2MBS8C长期回收TH58TFT1CFKBAEG
江波龙获得一项发明专利授权,专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”,专利申请号为CN202010167846.X,授权日为2024年5月14日。专利摘要:本申请提供一种DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个,较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了5.94亿元,同比增66.74%。
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