旺宏电子4月营收21.18亿元（新台币，下同）、月增0.2%、年减29.6%，累计前4月营收为78.78亿元、年减22.1%，旺宏电子3D NOR Flash已于去年完成芯片测试，其中以4Gb产品进度最快，预估在今年下半年进入市场，并于明年量产。旺宏强调，原有的NOR Flash产品在市场上约有2成的占有率，研发的3D堆叠方式产品将瞄准车用等高利基型市场。3D NAND Flash新品，目前则在最后制程调整阶段，主要出货给任天堂游戏片使用，预期今年下半年完成送样，并在明年下半年开始挹注收益。此外，旺宏电子与IBM合作开发的SSD以300多层3D NAND Flash堆叠，预计开发期需要三年时间，未来公司的晶圆厂将会着力于生产3D NAND Flash，控制芯片则会委外代工。NW851NW964回收FLASH闪存
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在半导体产业高速发展的背景下，高带宽内存（High Bandwidth Memory, HBM）领域三星和SK海力士之间的技术竞争日益激烈。近一个月来，对HBM的兴趣急剧上升。特别是HBM3E和HBM4产品的进展引起了业界的关注，这些公司的步伐也在加快。行业专家认为，HBM已经逐渐形成了如NAND或DRAM等独立的产品类别，并预计销售额将继续增长。据最近的数据显示，预计明年HBM将占据DRAM销售额的30%。这表明HBM不仅仅是技术趋势，它已经成为了半导体市场的重要组成部分。
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从执行机构上读取离散量输入（多个位）的内容；03H读取保持寄存器。从执行机构上读取保持寄存器（16位字）的内容；04H读取输入寄存器。从执行机构上读取输入寄存器（16位字）的内容；05H强置单线圈。写数据到执行机构的线圈（单个位）为“通”（“1”）或“断”（“0”）；06H预置单寄存器。写数据到执行机构的单个保持寄存器（16位字）；0FH强置多线圈。写数据到执行机构的几个连续线圈（单个位）为“通”（“1”）或“断”（“0”）；10H预置多寄存器。