K9HKGY8S5M-1CED回收LPDDR34X专注
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江波龙获得一项发明专利授权,专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”,专利申请号为CN202010167846.X,授权日为2024年5月14日。专利摘要:本申请提供一种DRAM的电压控制电路,包括:单片机,与内存条上的SPD芯片连接;调压电路,与所述单片机连接,并与所述内存条上的至少一个DRAM连接,用于响应所述单片机的指令,对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制,无需在DRAM内单独设计调压电路,实现简单,成本低且周期短,并且通过相互连接的单片机和调压电路,大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个,较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了5.94亿元,同比增66.74%。
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回收陀螺仪,六轴陀螺仪,角度传感器,距离传感器,博世传感器,温度传感器,光线传感器,三轴陀螺仪,九轴陀螺仪等。
回收贴片电容,直插电容,安规电容,陶瓷电容,电解电容,钽电容,磁珠,电感,电阻,晶振,直插晶振,贴片晶振,32.768MHZ,低压电容,大电解电容,热敏电阻,光敏电阻等。
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15177-256G
15056-064G
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15139-128G
TH58TEG8DDKBA8C
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TH58TEG9E2HBA89
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TH58TFG9EFKBA8K
请勿将正转限位/反转限位用于极限以外的用途。正转限位/反转限位置为ON时的动作根据极限减速模式(BFM#3b11/BFM#37b11)的设定而不同。极限减速模式为OFF时的动作(下)运行过程中位于运行方向的正转限位/反转限位置为ON后,立即停止正转脉冲/反转脉冲,输出CLR信号。(CLR信号的输出脉宽为20ms。)2.极限减速模式为ON时的动作(下)运行过程中位于运行方向的正转限位/反转限位置为ON后,减速停止。
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