TH58TFT1T22BA8H长期收购IC

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MODBUS是一种性价比非常之高的短距离，低成本通信解决方案，但是它也有缺点，比如实时性不高，传递的数据量有限，通信速率不高，容易受到干扰，但是瑕不掩瑜，我们不能因为它有缺点，就讳疾忌医，相反，我们要不断发现并解决它的漏洞，提高设备的可靠性，今天，我就跟大家分享下，在应用MODBUS通信过程中的几点经验。布线首先，你的MODBUS线缆一定不要放在线槽里，有些人总以美观为理由，把通信线放置在线槽内，其实这是非常错误的想法，是的照明电工思维方式。
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亚德诺，赛普拉斯，赛灵思，美台，凌力尔特，莱迪斯，电源，PMC，豪威，MPS，艾迪悌，HITTITE,威世，安华高，微芯，镁光，闪迪，美信，晨星等。

 

博通，安捷伦，爱特梅尔，德州仪器，威讯，PERICOM,SEMTECH,顺利卡，安森美，阿尔特拉，ALPHA,安霸，LNOWLES,新思，英特矽尔，应美盛，普瑞科技，思旺等。

 

格科微，海思，华为，汇顶科技，集创北方，炬力，昆腾微，全志，瑞芯微，思比科微，思立微，瀚瑞微，展讯，三星，海力士，恩智浦，意法，JRC等。

 

东芝，尔必达，富士通，精工，理光，罗姆，南亚，日立，瑞萨，三菱，松下，晶毫科技，普诚科技，瑞昱，敦泰科技，SST,合泰，华邦，联发科等。

 

联咏，旺宏，原相，科锐，思佳讯，矽映，英业达，艾迈斯，派视尔，凌阳，NEXTCHIP,晶相，立锜，佐臻，凌通等。

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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。


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