旺宏电子4月营收21.18亿元（新台币，下同）、月增0.2%、年减29.6%，累计前4月营收为78.78亿元、年减22.1%，旺宏电子3D NOR Flash已于去年完成芯片测试，其中以4Gb产品进度最快，预估在今年下半年进入市场，并于明年量产。旺宏强调，原有的NOR Flash产品在市场上约有2成的占有率，研发的3D堆叠方式产品将瞄准车用等高利基型市场。3D NAND Flash新品，目前则在最后制程调整阶段，主要出货给任天堂游戏片使用，预期今年下半年完成送样，并在明年下半年开始挹注收益。此外，旺宏电子与IBM合作开发的SSD以300多层3D NAND Flash堆叠，预计开发期需要三年时间，未来公司的晶圆厂将会着力于生产3D NAND Flash，控制芯片则会委外代工。TH58TEG9DDKBA8H需求内存颗粒
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群联电子发布全新企业级SSD品牌『PASCARI』，并推出符合高阶企业级SSD存储市场需求的PCIe Gen5 X200系列SSD。群联此一重要的策略布局，正是为了因应生成式AI技术的快速成长以及迎接企业对能存储解决方案的迫切需求。PASCARI品牌是群联专为企业级和数据中心应用而量身打造的SSD产品线。PASCARI正式亮相之际，群联也同步发表了首款PCIe Gen5企业级SSD新品X200系列。这款X200 SSD产品专为能运算、AI应用、超大规模数据中心等需要密集读写数据的应用场景所设计，提供效能、存储容量以及先进的固件客制化功能。
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H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
H58G56AK6JX032
H58G56AK6PX032
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H58G56MK6BX024
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H58G56MK6QX024
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H58GG6MK6GX037N
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回收内存闪存DDR3,DDR4,DDRIII,DDRIIII,EMMC,EMCP,UMCP,UFS,EUFS,LPDDR3,LPDDR4,GDDR5,GDDR6,DDR3台式电脑内存条，DDR3笔记本内存条，DDR4台式电脑内存条，DDR4笔记本内存条

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 回收光电耦合器，光电隔离器，电源，开关电源，逻辑门电路，集成电路，液晶逻辑板，变压器，散热片，咪头，导航屏，电位器，编程器，仿真器，高压条，线路板，软排线，高频头等。
回收固态硬盘，回收芯片
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TH58TFG9EFLBA89
TH58TEG9EDJBA89
TH58TEG9E2HBA89
TH58TFG9EFKBA8K
TH58TEG9DDKBAEF
TH58TEG9DDKBA8H
TH58TEG9EDJBA8C
TH58TEG9EDJBA89
TH58TEG9CDJBAS9
TH58TFT1DFLBA8P



NW953 MT29F4T08EUHBFM4-R:B 512G
NW980 MT29F4T08E:B 512G
NW947 MT29F4T08GMHAFJ4:A 512G
NX862 MT29F4T08EUHBFM4-TES:B 512G
NX890 MT29F4T08EULCEM4-TES:C 512G
NW957 MT29F4T08EUHBFM4-T:B 512G
NW984 MT29F4T08EULCEM4-QJ:C 512G
NW969 MT29F4T08E:C 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NX970 MT29F4T08EULEEM4-TES:E 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NW786 MT29F512G08CMCBBH7-6ITC:B 64G
NW966 MT29F512G08EBHBFJ4-T:B 64G
NX886 MT29F512G08EBHBFJ4-TES:B 64G
NW928 MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 64G
NW747 MT29F512G08CMCCBH7-10C:C 64G
NW662 MT29F512G08CKCCBH7-10:C 64G
NX837 MT29F512G08EBHAFJ4-3RES:A 64G
NX967 MT29F512G08EBLEEJ4-TES:E 64G
NX671 MT29F512G08EMCBBJ5-6ES:B 64G
NW593 MT29F512G08CKCABH7-10:A 64G
NW524 MT29F512G08CKCABH7-6Q:A 64G
NW860 MT29E6T08ETHBBM5-3:B 768G
NW894 MT29E6T08ETHBBM5-3D:B 768G
NW852 MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B 96G
NW856 MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 96G
NX748 MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B 96G\



但在实际工作中，特别是电源线架空引入的情况下，单靠变频器的吸收网络是不能满足要求的。在雷电活跃地区，这一问题尤为重要。雷击分为直击雷和感应雷。直击雷是雷电直接落在雷击物上，产生的破坏;感应雷是雷电产生的电磁波在导体上产生的感应高压，使连接到导体上的电器过压而损坏。在电网上，已经安装了多级避雷器，但前级雷电的残存电压或变频器附近的雷电感应电压仍然会对变频器造成破坏。变频器外壳被击开。CPU主板，整流桥，驱动板还有输出模块都被损坏的事故很多。