15139-128G回收LPDDR34X
发布时间:2024-11-23
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K3UHBHB0BM-EGCL
K4A4G085WE-BIRC
K4A4G085WE-BITD
K4A4G085WF-BCTD
K4A4G085WF-BCWE
K4A4G085WF-BITD
K4A4G165WE-BCWE
K4A4G165WE-BCWE
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K4A4G165WE-BIWE
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K4A4G165WF-BCWE
K4A4G165WF-BITD
K4A8G045WB-BCPB
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K4A8G045WB-BCTD
K4A8G045WC-BCPB
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奥罗斯特科技相关人士表示,通过新设备,预计能够提高下一代HBM的良率,并声称奥罗斯特科技是提供PAD Overlay相关设备的公司。此次供应是响应三星电子作为HBM竞争力强化的客户需求,基于现有前工序Overlay技术,开发了针对PAD工艺的特化算法,以快速响应客户需求。随着客户需求的增加,预计未来将供应更多的设备。明年DRAM市场中HBM的销售额比重将从去年的8%增长到今年的21%,明年将超过30%。因此,三星电子等主要HBM企业正在扩大投资。此外,奥罗斯特科技为了扩大销售,正在努力开发后工序Overlay设备。该公司去年已经供应了晶圆翘曲测量设备和12英寸晶圆级封装测量设备。随着奥罗斯特科技在后工序设备领域的技术积累和市场扩张,预计将在半导体设备市场中占据更重要的位置。
NW953 MT29F4T08EUHBFM4-R:B 512G
NW980 MT29F4T08EQHBFG8-QA:B 512G
NW947 MT29F4T08GMHAFJ4:A 512G
NX862 MT29F4T08EUHBFM4-TES:B 512G
NX890 MT29F4T08EULCEM4-TES:C 512G
NW957 MT29F4T08EUHBFM4-T:B 512G
NW984 MT29F4T08EULCEM4-QJ:C 512G
NW969 MT29F4T08EQLCEG8-R:C 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NX970 MT29F4T08EULEEM4-TES:E 512G
NW920 MT29F4T08EUHAFM4-3T:A 512G
NW786 MT29F512G08CMCBBH7-6ITC:B 64G
NW966 MT29F512G08EBHBFJ4-T:B 64G
NX886 MT29F512G08EBHBFJ4-TES:B 64G
NW928 MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 64G
NW747 MT29F512G08CMCCBH7-10C:C 64G
NW662 MT29F512G08CKCCBH7-10:C 64G
NX837 MT29F512G08EBHAFJ4-3RES:A 64G
NX967 MT29F512G08EBLEEJ4-TES:E 64G
NX671 MT29F512G08EMCBBJ5-6ES:B 64G
NW593 MT29F512G08CKCABH7-10:A 64G
NW524 MT29F512G08CKCABH7-6Q:A 64G
NW860 MT29E6T08ETHBBM5-3:B 768G
NW894 MT29E6T08ETHBBM5-3D:B 768G
NW852 MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B 96G
NW856 MT29E768G08EEHBBJ4-3:B 96G
NX748 MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B 96G
THGBMFG9LBAIR
THGBMFG9C8LBAIG
THGBMFG9C8LBAIX
THGBMFT0CBLBAIS
THGBMG8D4KBAIR
THGBMGG9T4LBAIR
THGBMGG9U4LBAIR
THGBMGT0T8LBAIG
THGBMGT0U8LBAIG
THGBMHG6C1LBAIL
THGBMHG6C1LBAU6
THGBMHG7C1LBAIL
THGBMHG7C2LBAIL
THGBMHG7C2LBAU7
THGBMHG8C2LBAIL
THGBMHG8LBAIR
THGBMHG8LBAU7
THGBMHG9LBAIR
THGBMHG9C8LBAIG
THGBMHG9C8LBAU8
THGBMHT0C8LBAIG
THGBMHT0V8LBAIG
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