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随着两家公司的合作消息传出，业界对台积电将承担多少基础芯片生产过程的疑问增多。SK海力士通过台积电的代工厂工艺生产HBM4基础芯片的原因是为了满足客户对HBM定制化的需求。为此，两家公司在4月份在台湾台北签署了关于HBM4基础芯片生产的谅解备忘录（MOU）。业界预计，SK海力士将通过台积电的7纳米工艺生产HBM4基础芯片。HBM4 12层产品的量产预计将在明年下半年进行。16层产品则计划在2026年开始量产。SK海力士在HBM4量产中也将采用与HBM3E相同的先进多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技术和1bnm DRAM。
三星在HBM领域也取得了显著进步。公司预告了HBM3E 12层产品将在第二季度内量产，并显示出在市场上保持地位的意愿。同时，三星强调，由于HBM产品与客户的紧密协商，因此供应过剩的担忧较小。此次记者招待会上提出的言论和计划，对加深业界对HBM技术现状和未来的理解将起到重要作用。特别是，两家公司都显示出通过HBM确保在下一代半导体市场中的地位的意愿。这可能会成为未来半导体技术竞争中一个重要的转折点，并可能对技术市场的走向产生重要影响。
PIC的输入端子除了可以接通有触点的开关外，还可以接一些无触点开关，如无触点接近开关，当金属体靠近探测头时，内都的晶体管导通，相当于开关闭合。根据晶体管的不同，无触点接近开关可分为NPN型和PNP型，根据引出线数量不同，可分力3线式和2线式。3线式无触点接近开关的接线图a是3线NPN型无触点接近开关的接线它采用漏型输入接线，在接线时将S／S端子与24V端子连接，当金属体靠近接近开关时，内部的NPN型晶体管导通，X00输入电路有电流流过，电流途径是：24V端子S／S端子ーplc内部光电耦合器一X0端子编子接近开关ー0V端子，电流由公共端子（S／S端子）输入，此为源型输入。
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半导体制造业呈现出积极的复苏迹象。报告显示，电子产品销售呈现增长势头，库存水平稳定，晶圆厂的装机产能也在提升，预示着下半年行业增长势头将进一步加强。


SEMI与TechInsights联合发布的2024年季度半导体产业监控报告指出，上一季度电子产品销售同比增长了1%，而本季度预计将实现5%的年增长。集成电路（IC）销售在上季度同比增长了22%，本季度预计将增长21%，这一增长主要得益于高性能计算（HPC）芯片出货量的增加以及存储芯片价格的持续改善。此外，IC库存在上季度也趋于稳定，预计本季度将进一步改善。


晶圆厂的已装机产能上季度增长了1.2%，本季度预计将增长1.4%，预计每季度将超过4000万片12英寸晶圆。大陆的产能增长率在各地区中，但晶圆厂的稼动率（尤其是成熟制程节点）仍然是一个担忧点，预计上半年不会有显著的复苏迹象。存储芯片厂的稼动率也低于预期，因为厂商继续控制供应量。


半导体行业的资本支出也呈现出与晶圆厂稼动率相同的趋势，保持谨慎态度。在去年第四季度年同比下降17%之后，今年季度又下降了11%，但预计第二季度将实现0.7%的小幅增长。本季度存储芯片相关的资本支出预计将增长8%，而非存储领域芯片的资本支出增长率将略高。

SPD是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置，其作用是把窜入电力线、信号传输线的瞬时过电压限制在设备或系统所能承受的电压范围内，或将强大的雷电流泄流入地，保护被保护的设备或系统不受冲击。浪涌保护器的类型和结构按不同的用途有所不同，但它至少应包含一个非线性电压限制元件。用于浪涌保护器的基本元器件有：放电间隙、充气放电管、压敏电阻、二极管和扼流线圈等。按其工作原理分类，SPD可以分为电压开关型、限压型及组合型。

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