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存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
OC门OC门和OD门它们的定义如下：OC：集电极开路（OpenCollector）OD：漏极输出（OpenDrain）这是相对于两个不同的元器件而命名的，OC门是相对于三极管而言，OD门是相对于MOS管。我们先来分析下OC门电路的工作原理：当INPUT输入高电平，Ube0.7V，三极管U3导通，U4的b点电位为0，U4截止，OUTPUT高电平当INPUT输入低电平，Ube0.7V，三极管U3截止，U4的b点电位为高，U4导通，OUTPUT低电平OC门电路其中R25为上拉电阻：何为上拉电阻？将不确定的信号上拉至高电平。
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