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随着两家公司的合作消息传出，业界对台积电将承担多少基础芯片生产过程的疑问增多。SK海力士通过台积电的代工厂工艺生产HBM4基础芯片的原因是为了满足客户对HBM定制化的需求。为此，两家公司在4月份在台湾台北签署了关于HBM4基础芯片生产的谅解备忘录（MOU）。业界预计，SK海力士将通过台积电的7纳米工艺生产HBM4基础芯片。HBM4 12层产品的量产预计将在明年下半年进行。16层产品则计划在2026年开始量产。SK海力士在HBM4量产中也将采用与HBM3E相同的先进多流（MR）-多芯片下填充（MUF）技术和1bnm DRAM。
下面进行写数据的验证，在程序中将DeviceData.ctrl任意赋值，然后再modsim中查看：写入数据赋值写入成功可以看到modsim3中相应地址的数据也已经变化，而其他模拟设备中并没有改变。其他在实际的项目中，变频器控制，通讯参数和数据地址一般都是设备(从站)规定好的，我们需要查阅设备手册，在程序中做相应的设置即可，通过通讯获取的数据可以有触摸屏显示出来，方便操作人员监控设备状态，也可以做一写判断，用于设备的报警等处理。
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