需求DDR内存K3RG2G20AM-MGCJ


存储产能冲突，消费类终端面临供需两弱的挑战与此同时，由于HBM对原厂产能的直接挤占效应，各家原厂均透露出通用型DRAM产品供应受限的担忧：由于HBM和DDR和LPDDR5X制程冲突，在相同制程下，生产同样bit量的产品，HBM3E消耗的晶圆量约是DDR5的两至三倍。此外，HBM生产过程中需要TSV封装，因此HBM生产周期较DDR5增加1.5~2个月，且先进HBM的TSV良率仍有待提升，完全突破良率瓶颈可能需要2～3年时间，HBM对传统存储芯片产能的排挤仅仅只是开端。存储原厂将更多的产能分配至服务器市场，加上传统产品和存储技术的迭代升级，消费类终端面临着存储资源结构性紧缺的挑战，在肩负着巨大的成本压力之下，终端不惜降低存储配置来削减成本，这显然也不是供应端愿意看到的局面。
长期回收电子料，包括：存储类FLASH芯片，如东芝，三星，海力士，镁光，华邦，南亚，英特尔通信类电子元器件，如通信IC、通信模块、功率模块、CPLD、内存、大功率IBGT、DSP、服务器CPU、硬盘、服务器网卡等。电源类电子元器件，如电源IC、MOS管、电解电容、钽电容、电源成品、IG模块、UPS主控MCU、DSP、电源板等。

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安培计算公司在其产品发展路线上迈出了重要一步，宣布了明年将推出的全新256核心安培一号处理器，该处理器将基于台积电先进的N3工艺技术。这一宣布标志着公司在高性能计算领域的持续创新和发展。

除了CPU发展计划，安培计算还宣布与高通建立合作伙伴关系，共同构建AI推理服务器。这一合作将利用安培的CPU和高通的Cloud AI 100 Ultra加速器，旨在提供更强大的AI计算解决方案。

目前，安培计算已经开始出货192核心的安培一号处理器，该处理器配备了八通道DDR5内存子系统。公司计划在今年晚些时候推出配备12通道DDR5内存子系统的192核心CPU，并将在全新平台上推出256核心的安培一号CPU。

安培计算的执行官Renee James表示：“我们正在扩展我们的产品系列，包括一个新的256核心产品，其性能比市场上任何其他CPU高出40%。这不仅仅是关于核心数量，而是关于你能在平台上做什么。我们有几个新功能，可以提供的性能、内存、缓存和AI计算。”

尽管安培计算在通用云计算实例方面表现出色，但在AI领域仍需提升能力。公司表示，其128核心安培一号CPU能够提供与Nvidia A10 GPU相当的性能，但功耗更低。通过与高通的合作，安培计算希望在AI领域取得更大的突破。

目前，关于安培计算与高通合作构建的基于LLM推理的平台何时准备就绪的消息尚未公布，但这表明安培计算的雄心壮志不会止于通用计算，公司将持续扩展其在高性能计算和AI领域的足迹。