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旺宏电子4月营收21.18亿元（新台币，下同）、月增0.2%、年减29.6%，累计前4月营收为78.78亿元、年减22.1%，旺宏电子3D NOR Flash已于去年完成芯片测试，其中以4Gb产品进度最快，预估在今年下半年进入市场，并于明年量产。旺宏强调，原有的NOR Flash产品在市场上约有2成的占有率，研发的3D堆叠方式产品将瞄准车用等高利基型市场。3D NAND Flash新品，目前则在最后制程调整阶段，主要出货给任天堂游戏片使用，预期今年下半年完成送样，并在明年下半年开始挹注收益。此外，旺宏电子与IBM合作开发的SSD以300多层3D NAND Flash堆叠，预计开发期需要三年时间，未来公司的晶圆厂将会着力于生产3D NAND Flash，控制芯片则会委外代工。
两者皆为2相激磁，1-2相激磁，4细分时没有看到大的差别。由上图可以看出，转数在150rpm以上时，步距角为0.9°的电机虽然激磁方式发生变化，但速度变化差别不大。下图表示三相HB型步距角3.75°时的全步距角，2细分、4细分、8细分时的电流波形和电机转动角的波形。可以看出，电流波形8细分时接近正弦波。细分步进的细分数是决定驱动电路的复杂程度和成本的原因之一，应该根据使用目的和转速来合理选用不同的驱动电路。

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