回收高速HBM3EJS29F16B08JAMDA



旺宏电子4月营收21.18亿元（新台币，下同）、月增0.2%、年减29.6%，累计前4月营收为78.78亿元、年减22.1%，旺宏电子3D NOR Flash已于去年完成芯片测试，其中以4Gb产品进度最快，预估在今年下半年进入市场，并于明年量产。旺宏强调，原有的NOR Flash产品在市场上约有2成的占有率，研发的3D堆叠方式产品将瞄准车用等高利基型市场。3D NAND Flash新品，目前则在最后制程调整阶段，主要出货给任天堂游戏片使用，预期今年下半年完成送样，并在明年下半年开始挹注收益。此外，旺宏电子与IBM合作开发的SSD以300多层3D NAND Flash堆叠，预计开发期需要三年时间，未来公司的晶圆厂将会着力于生产3D NAND Flash，控制芯片则会委外代工。

回收陀螺仪，六轴陀螺仪，角度传感器，距离传感器，博世传感器，温度传感器，光线传感器，三轴陀螺仪，九轴陀螺仪等。

 回收贴片电容，直插电容，安规电容，陶瓷电容，电解电容，钽电容，磁珠，电感，电阻，晶振，直插晶振，贴片晶振，32.768MHZ，低压电容，大电解电容，热敏电阻，光敏电阻等。

 回收4G模块，3G模块，GPRS模块，通信模块，发射模块，功率模块，蓝牙模块，wi-fi模块，无线模块，电源模块，光纤模块，IG模块等。

 回收高频管，IG管，晶体管，MOS管，场效应管，三极管，二极管，贴片三极管，直插三极管，进口三极管，国产三极管，激光管，发射管，红外管，数码管等。


MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，现在MOSFETRds（on）已经能够做到毫欧级，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。
H56C8H24AIR-S2C
H56C8H24AIR-S2CR
H56CBM24MIR-S2C
H58G46AK6JX033
H58G46AK6PX033
H58G46AK6QX033
H58G46AK6VX033
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H58G56AK6QX032
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H58G66MK6BX026
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H58GG6MK6GX037N
H58GU6MK6HX042